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ユナイテッドシリコンカーバイド
USCi

会社概要

SiCパワーデバイスの開発をリードし、高品質で先端の標準製品をはじめダイからカスタム製品までのサービスを 提供する米国ニュージャージー州に本拠を置く半導体企業です。
世界中でますます必要とされるエネルギの伝達効率の改善やパワーサプライ、モータコントロールなどにおけるエネルギー損失の改善を求める自動車で使用される パワー製品やPV用インバータ、宇宙関係などの多分野で世界中のお客様に次世代の高効率パワーソリューションを提供することを目標に活動しています。

会社名 United Silicon Carbide, Inc. (ユナイテッドシリコンカーバイド)
本社所在地 米国ニュージャージー州
設立 1998年
URL http://www.unitedsic.com/

製品概要

主要製品

  • SiCトランジスタ(JFET, MOSFET, BJT等)
  • SiCショートッキダイオード(650V/1200V, 2A to 70A)
  • SSCB (Solid State Circuit Breaker)
  • SiCカスタムICやSiCモジュール

20131010